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在市場硅原材料持續緊張的背景下，薄膜太陽電池已成為光伏市場發展的新趨勢和新熱點。與傳統的單晶、多晶硅電池的制備工藝不同，制備大面積的薄膜太陽能電池成為可能。
| 項 目 | 指標和說明 |
| 光源 | 150W氙燈光纖輸出,光學穩定度≦0.8%，可工作在斬波模式, |
| 測試光斑尺寸 | 3mm~10mm |
| 單色儀 | 三光柵DSP掃描單色儀 |
| 波長范圍 | 300nm～2000nm |
| 波長準確度 | a） ±0.3nm（1200g/mm,300nm） |
| b） ±0.6nm（600g/mm,500nm） | |
| c） ±0.8nm（300g/mm,1250nm） | |
| 掃描間隔 | 小可至0.1nm |
| 輸出波長帶寬 | <5 nm |
| 多級光譜濾除裝置 | 根據波長自動切換，消除多級光譜的影響 |
| 光調制頻率 | 4 - 400 Hz |
| 標準探測器 | 標配標準硅探測器，InGaAs探測器,含校正報告 |
| 偏置光源 | 150W Xenon Lamp 光纖輸出 |
| 數據采集裝置靈敏度 | 直流模式：100nA；交流模式：2nV |
| 測量重復精度 | 對太陽光譜曲線積分重復性在±1%以內 |
| 測量速度 | 單次光譜響應掃描<1min，IPCE完整測試<5min （步長5nm） |
| X Y 自動工作臺 | 300x300mm 或 500x500mm |
| 單波長 QE Mapping | 速度：20 Point/Second @ 0.5 mm Step |
| SCS10-X150-F300 | 150W Xenon arc lamp for probe source, optical stability ≦0.8%, Adjust mechanism: It can easy remove chopper from probe light |
| a） ± 0.3nm;1200g/mm, blaze 300nm （1st grating） | |
| b） ± 0.6nm;600g/mm, blaze 500nm （2nd grating） | |
| c） ± 0.8nm;300g/mm, blaze 1250nm （3rd grating） | |
| 6 Position Filter Wheel（200-2000nm） | |
| DC mode（Data Acquisition System with Pre Amplifier ） | |
| AC mode（ Lock-In Amplifier ） | |
| Chopper | |
| Short current preamplifier | |
| Calibrated Si Detector | |
| Calibrated InGaAs Detector | |
| 150W Xenon Bias Light Source with fiber output, White bias light source, optical stability ≦0.8%, with 1 inch Filter Wheel | |
| XY Stage for QE Uniformity Scanning, 300mm x300mm | |
| SCS10-X150-F500 | XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm |
| SCS10-T150-F300 | 150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm |
| SCS10-T150-F500 | 150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm |
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